Lançado o Samsung SZ985 Z-SSD de alto desempenho e baixa latência

Samsung SZ985 Z-SSD
Samsung SZ985 Z-SSD

O Samsung SZ985 Z-SSD (Solid State Drive), baseado em PCIe foi lançado recentemente. Este foi desenhado para HPC (High Performance Computing), do qual é projetado para aplicações de alto desempenho e baixa latência.

Este utiliza a nova tecnologia de chips Flash Z-NAND, um controlador de memória de alto desempenho e conta ainda com 1.5 GB LPDDR4 de cache.

Para quem não sabe, o cache é uma memória muito mais rápida que a do SSD, servindo para armazenar dados para que estes sejam acessíveis muito mais rapidamente.

O Z-SSD irá oferecer uma leitura aleatória de até 750000 IOPS (Input/Output Operations Per Second), o que significa que é 1.7x mais rápido que o Samsung PM963 NVMe SSD.

Samsung Z-SSD
Samsung Z-SSD

Este Z-SSD basea-se na mesma estrutura fundamental que a 3D V-NAND, presente nos seus SSDs NVMe. A empresa expressou que o “Z-NAND tem um design de circuito exclusivo e um controlador que, em conjunto, servem para otimizar o desempenho.”

A tecnologia Z-SSD conta com uma latência 5.5 vezes menor que a tecnologia NVMe SSD, que até ao momento lidera o mercado. Outros produtos serão lançados com 3.2GB/s de leitura/escrita. Isto significa que terão consideravelmente maior leitura e escrita que os seus rivais diretos. Estes virão em versões de 800GB e 240GB.

O Samsung SZ985 Z-SSD foi lançado em resposta ao Intel Optane, possuindo uma durabilidade de 42 petabytes e um MBTF (Meantime Between Failure) de 2 milhões de horas. Estes SSDs virão gerar mais competitividade no mercado e consequentemente, baixar o preço deste género de produto.

 

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Fonte: Forbes

Sobre Rodrigo Amorim 9 artigos
Comecei a escrever para o DBaP porque gosto de ficar a par de novidades no mundo da tecnologia e quero sempre aprender mais.